时间：2025/9/2 5:28:19
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HYG180N10LS1D 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，专为高效功率转换应用设计。该器件采用先进的U-MOS VIII技术，提供低导通电阻和高可靠性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（最大值，@VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：95nC
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
HYG180N10LS1D 具有极低的导通电阻，能够在高电流条件下显著降低功率损耗，从而提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽栅极结构技术，优化了电场分布，提高了器件的耐用性和稳定性。此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，可在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
其封装形式为D2PAK，具备良好的热管理性能，有助于快速散热，确保在高功率应用中的稳定性。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外围元件的尺寸并提升整体系统性能。
由于其高栅极绝缘强度和优良的短路耐受能力，HYG180N10LS1D 可广泛应用于汽车电子、工业电源、服务器电源、电机驱动器等高性能要求的电子系统中。
HYG180N10LS1D 常用于多种高功率和高效能的电子系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的电源模块、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件的高性能特性使其在要求苛刻的汽车和工业应用中表现出色。
TKA180N10K1, IPP180N10N3, IPW180N10N3
