HYG086P06LA1B是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET,适用于高效率电源转换应用。这款MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻和高开关性能,广泛应用于DC-DC转换器、服务器电源、工业电源和电动车辆系统中。该器件封装在高性能的表面贴装封装中,便于散热和高密度设计。
类型:功率MOSFET
漏源电压(VDS):60V
连续漏极电流(ID):120A
导通电阻(RDS(on)):6.2mΩ(最大值,VGS=10V)
栅极电荷(Qg):160nC(典型值)
封装类型:DFN(双侧散热)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
HYG086P06LA1B的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的热性能,适合用于高功率密度设计。该器件采用先进的沟槽结构技术,以降低导通损耗并提高能效。此外,其双侧散热DFN封装设计可显著提升散热性能,适用于需要高可靠性和高热管理能力的应用场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,使其适用于多种栅极驱动电路设计。其快速开关特性也有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。
另外,HYG086P06LA1B具有较高的雪崩能量耐受能力,能够承受一定的瞬态过电压,从而增强系统的稳定性和可靠性。
该器件广泛应用于服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电动车辆(EV/HEV)电源系统以及工业自动化和电机控制应用。由于其高电流能力和优异的热管理性能,它也适用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合。
TPH9R00CQH, SQJQ120EP, IPB061N06NG4S