时间：2025/9/1 21:19:42
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HYG086P06LA1B是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET，适用于高效率电源转换应用。这款MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高开关性能，广泛应用于DC-DC转换器、服务器电源、工业电源和电动车辆系统中。该器件封装在高性能的表面贴装封装中，便于散热和高密度设计。
类型：功率MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：6.2mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：160nC（典型值）
封装类型：DFN（双侧散热）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
HYG086P06LA1B的主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适合用于高功率密度设计。该器件采用先进的沟槽结构技术，以降低导通损耗并提高能效。此外，其双侧散热DFN封装设计可显著提升散热性能，适用于需要高可靠性和高热管理能力的应用场景。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种栅极驱动电路设计。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
另外，HYG086P06LA1B具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受一定的瞬态过电压，从而增强系统的稳定性和可靠性。
该器件广泛应用于服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电动车辆（EV/HEV）电源系统以及工业自动化和电机控制应用。由于其高电流能力和优异的热管理性能，它也适用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合。
TPH9R00CQH, SQJQ120EP, IPB061N06NG4S
