类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大7.2mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）
　　功率耗散（PD）：130W

HYG072N10LS1P 的核心特性之一是其超低导通电阻（RDS(on)），最大仅为7.2毫欧，这显著降低了导通损耗，提高了能效。
　　该器件采用了东芝的U-MOS VII技术，具备卓越的开关性能，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
　　其SOP封装不仅提供了良好的散热性能，同时也支持表面贴装工艺，适合自动化生产，提高组装效率。
　　此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为70A，能够在高负载条件下稳定工作。
　　器件支持高达20V的栅极电压，具有较好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器或驱动IC配合使用。
　　工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种环境条件下都能保持稳定性能。

HYG072N10LS1P 广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中，包括服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、电池管理系统、马达驱动器以及工业自动化设备等。
　　在服务器和通信电源系统中，该MOSFET可用于同步整流电路，显著提高电源转换效率。
　　在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性可有效降低功率损耗，提升系统整体能效。
　　由于其高电流能力和优异的热稳定性，它也适用于电动工具、无人机、储能系统等需要高效能功率开关的场合。
　　此外，该器件适用于需要紧凑设计和高可靠性的工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器。

TKA70N10K,TMC70N10KOF,TMC70N10KOS