HYG068N08NR1P是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效能功率管理的电子设备中。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等应用。该器件采用DFN(Dual Flat No-leads)封装,具有良好的热管理和小型化设计,适合高密度电路布局。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(Id):80A
漏源极电压(Vds):80V
栅源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):6.8mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:DFN10
HYG068N08NR1P具备多项优异特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率,这对于高电流应用场景尤为重要。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽式技术,优化了器件的电性能和热性能,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
此外,该器件支持高达80A的漏极电流和80V的漏源极电压,使其适用于多种中高功率应用。±20V的栅源极电压范围提供了更高的设计灵活性,并增强了器件对瞬态电压的耐受能力。
HYG068N08NR1P采用DFN10封装,这种无引脚封装技术不仅减小了器件的物理尺寸,还提高了散热性能,有助于在紧凑型设计中实现更好的热管理。DFN封装还具有较低的寄生电感,有助于降低开关损耗并提高高频工作的稳定性。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,表明其在极端温度条件下依然能够保持可靠的工作性能,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
HYG068N08NR1P广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统(BMS)。在电源管理应用中,它能够有效提高能效并减少热量产生,适合用于服务器、通信设备和工业自动化系统中的电源模块。在电机控制和驱动器设计中,该MOSFET的高电流能力和低导通电阻有助于提升系统的整体性能和响应速度。
此外,该器件也适用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的功率电子设备,如车载充电器(OBC)和逆变器系统。其优异的热性能和可靠性使其成为汽车电子设计中的理想选择。
在电池管理系统中,HYG068N08NR1P可以用于实现高效的充放电控制和保护电路,确保电池组的安全运行和延长使用寿命。
SiHF68N80E、IRF1404、NTMFS4C10N、FDMS86180