时间：2025/9/2 2:33:30
阅读：21
HYG065N07NS1C2 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于如DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及电池供电设备等多种应用场景。其封装形式为SOP（小型外贴封装），具备良好的热管理和电气性能，能够在较高的工作频率下保持稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：75V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：75nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP
HYG065N07NS1C2 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)）6.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用的沟槽栅极技术不仅提高了电流处理能力，还优化了开关速度，从而减少了开关过程中的能量损耗。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下稳定运行，适合在紧凑型设计中使用。
另一个显著特点是其较高的电流承载能力，最大漏极电流可达60A，适用于需要大电流输出的应用场景。同时，其最大漏源电压为75V，适合中等电压级别的功率转换系统。栅极电荷（Qg）仅为75nC，使得该器件能够在较高的开关频率下运行，从而减小外部电感和电容的尺寸，提升系统功率密度。
HYG065N07NS1C2 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。常见的应用场景包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动电路、电池充电器以及各种工业控制设备。此外，由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件也广泛用于电动工具、电动车辆（如电动滑板车、电动自行车）的功率控制模块中。
HYG075N07NS1C2、HYG065N07NM、TKA75N75Z、R6004END、IPB065N07N3
