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HYG065N07NS1C2 发布时间 时间:2025/9/2 2:33:30 查看 阅读:6

HYG065N07NS1C2 是一款由东芝(Toshiba)推出的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,提供了低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适用于如DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及电池供电设备等多种应用场景。其封装形式为SOP(小型外贴封装),具备良好的热管理和电气性能,能够在较高的工作频率下保持稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):60A
  最大漏源电压(VDS):75V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):75nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOP

特性

HYG065N07NS1C2 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on))6.5mΩ,这有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。该器件采用的沟槽栅极技术不仅提高了电流处理能力,还优化了开关速度,从而减少了开关过程中的能量损耗。此外,该MOSFET具备较高的热稳定性,能够在较高的工作温度下稳定运行,适合在紧凑型设计中使用。
  另一个显著特点是其较高的电流承载能力,最大漏极电流可达60A,适用于需要大电流输出的应用场景。同时,其最大漏源电压为75V,适合中等电压级别的功率转换系统。栅极电荷(Qg)仅为75nC,使得该器件能够在较高的开关频率下运行,从而减小外部电感和电容的尺寸,提升系统功率密度。

应用

HYG065N07NS1C2 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。常见的应用场景包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动电路、电池充电器以及各种工业控制设备。此外,由于其低导通电阻和高电流承载能力,该器件也广泛用于电动工具、电动车辆(如电动滑板车、电动自行车)的功率控制模块中。

替代型号

HYG075N07NS1C2、HYG065N07NM、TKA75N75Z、R6004END、IPB065N07N3

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