时间：2025/9/1 20:09:32
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HYG063N09NS1P是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高性能的电源管理应用而设计，适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及各种中高功率电子系统。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其封装形式为SOP（小外形封装），便于在印刷电路板（PCB）上安装和散热管理。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：90V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SOP
HYG063N09NS1P的特性包括低导通电阻、高电流容量以及卓越的开关性能。由于采用了东芝先进的沟槽栅极技术，该MOSFET能够在保持低Rds(on)的同时，提供快速的开关速度，从而减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够适应苛刻的工作环境，例如高温或高湿度条件。其SOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热能力，适合在紧凑型电子设备中使用。该MOSFET还具备过热保护和短路保护功能，进一步提升了系统的可靠性和安全性。
该MOSFET广泛应用于多种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。此外，它也适用于工业自动化设备、通信设备、服务器电源、电动汽车充电模块以及各种高功率密度的电子设备。由于其高效的能效表现和可靠的性能，HYG063N09NS1P在需要高功率和高稳定性的应用中尤为受欢迎。
TKA60N09,TJA60N09,TJAK60N09
