HYG063N09NS1P是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高性能的电源管理应用而设计,适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及各种中高功率电子系统。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,提供低导通电阻(Rds(on))和优良的热性能,有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其封装形式为SOP(小外形封装),便于在印刷电路板(PCB)上安装和散热管理。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):90V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A(在25℃)
导通电阻(Rds(on)):3.2mΩ(最大值,Vgs=10V)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:SOP
HYG063N09NS1P的特性包括低导通电阻、高电流容量以及卓越的开关性能。由于采用了东芝先进的沟槽栅极技术,该MOSFET能够在保持低Rds(on)的同时,提供快速的开关速度,从而减少开关损耗,提高电源转换效率。此外,该器件具有较高的热稳定性和耐用性,能够适应苛刻的工作环境,例如高温或高湿度条件。其SOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热能力,适合在紧凑型电子设备中使用。该MOSFET还具备过热保护和短路保护功能,进一步提升了系统的可靠性和安全性。
该MOSFET广泛应用于多种电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统(BMS)。此外,它也适用于工业自动化设备、通信设备、服务器电源、电动汽车充电模块以及各种高功率密度的电子设备。由于其高效的能效表现和可靠的性能,HYG063N09NS1P在需要高功率和高稳定性的应用中尤为受欢迎。
TKA60N09,TJA60N09,TJAK60N09