时间：2025/9/1 20:36:29
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HYG053N10NS1D 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理模块。该器件采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其封装形式为SOP Advance Power Package（SOP-8L），适合表面贴装，适用于紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：100V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：50A（在VGS=10V，TC=25℃）
导通电阻(RDS(on))：最大5.3mΩ（在VGS=10V，ID=25A）
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装：SOP-8L
HYG053N10NS1D 的核心优势在于其超低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，使其在高功率密度设计中表现出色。该器件采用了东芝先进的Trench MOSFET结构，能够在高开关频率下保持较低的导通和开关损耗，适用于高性能电源转换应用。其封装设计优化了热管理性能，有助于在高负载条件下保持稳定工作温度，延长器件寿命。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于汽车电子、工业自动化、通信设备等对稳定性要求较高的应用场景。栅极驱动电压范围较宽（通常为10V），兼容多种驱动电路设计，增强了系统的兼容性和灵活性。
HYG053N10NS1D 还具备良好的短路耐受能力，可在一定程度上防止因负载突变或电路故障导致的器件损坏。其高耐压特性（100V VDS）使其适用于48V总线系统、电机驱动器和电池管理系统等应用场合。
该MOSFET广泛应用于高效率电源系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源、电信设备以及电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电源管理系统。由于其具备高电流能力和低导通损耗，HYG053N10NS1D 特别适合用于需要高功率密度和高可靠性的设计中。
TKA100N10K5,TMBS100H100CT,TMBS100H100CG,TMBS100H100CQ
