类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏-源极电压（VDS）：130V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C

HYG050N13NS1B6的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的高耐压能力（130V）使其适用于多种中高功率应用。此外，其封装形式为TO-247，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定性。该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的驱动兼容性，可以与多种控制器或驱动IC配合使用。
　　在性能方面，HYG050N13NS1B6采用了东芝的U-MOS VII技术，这项技术显著提高了MOSFET的开关速度，同时降低了开关损耗。这种特性对于高频开关电路尤为重要，因为它可以减少热损耗，从而提高系统效率。此外，该器件的热阻较低，进一步增强了散热能力，使其在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　另外，HYG050N13NS1B6还具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其非常适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统中。此外，该MOSFET的封装设计符合RoHS标准，符合环保要求。

HYG050N13NS1B6广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的电力电子系统、工业电机控制以及高功率LED照明系统。在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效能的电源转换模块，提供稳定的输出电压和电流。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和高开关速度可显著提升效率，降低能耗。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件被用于电池管理系统、电机驱动器以及车载充电器等关键部件，确保系统的高可靠性和长寿命。此外，该MOSFET还可用于工业自动化控制系统，如伺服驱动器和变频器，以实现精确的电机控制。

TKA130N13DK,TMWS100N13CZ,TMDSC100N13CZ