时间：2025/9/2 5:07:18
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HYG045N10NS1P 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率功率转换系统，如DC-DC转换器、电源管理系统和电机控制应用。该器件采用先进的U-MOS VI技术制造，具备低导通电阻和高开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：45A（连续）
导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（典型值4.0mΩ）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
工作温度范围：-55°C~175°C
封装形式：TO-247
功率耗散(Pd)：170W
HYG045N10NS1P 具备多项显著特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流工作时的导通损耗大大降低，从而提高整体系统效率。
其次，该MOSFET采用东芝专有的U-MOS VI技术，优化了器件的开关特性，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
此外，该器件具有高耐压能力（100V），可承受较大的电压应力，提高了在高压应用中的可靠性。
HYG045N10NS1P 采用TO-247封装，具有良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中维持稳定的温度表现。
其栅极驱动电压范围宽（通常为10V驱动），适用于多种驱动电路设计，并具备良好的热稳定性与抗过载能力。
该器件广泛应用于各类电源转换系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、工业电源、服务器电源、电动车充电系统以及高效能电源模块等。由于其高效率和高可靠性的特点，HYG045N10NS1P也常用于需要高功率密度和高温稳定性的工业及汽车电子系统中。
SiR178DP-T1-GE3, IPW90R120C3, FDS4552N
