类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
　　最大漏-源电压（VDS）：80V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：3.5mΩ（最大值，在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：SOP-8L（表面贴装）

HYG035N08NS2C2具有多项高性能特性，首先其极低的导通电阻（RDS(ON)）有助于降低导通损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的80V漏-源电压额定值使其适用于中高功率应用，如服务器电源、电动工具、工业自动化和电动汽车充电设备等。
　　其次，该MOSFET采用东芝的U-MOS VII技术，实现了更高的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用（如DC-DC转换器）尤为重要。同时，该器件的封装设计优化了热管理性能，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提升系统的稳定性和寿命。
　　此外，HYG035N08NS2C2还具备良好的雪崩耐受能力，能够在异常工作条件下（如负载突变或短路）提供更高的可靠性。其±20V的栅极电压额定值也增强了抗过压能力，提高了使用安全性。

HYG035N08NS2C2广泛应用于多个高功率电子系统领域。在电源管理方面，它适用于DC-DC转换器、同步整流器和多相电源系统，以提高转换效率并减小电路尺寸。在电机控制和负载开关应用中，该MOSFET的高电流能力和低导通电阻使其成为驱动高功率电机或继电器的理想选择。
　　此外，该器件也适用于电动汽车的充电管理系统、电池保护电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和良好的热性能，HYG035N08NS2C2也常用于服务器电源、电信设备和高端消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑电源适配器和大功率LED驱动器。

TKA120N80Z, IPB080N08N3, SQJQ120EP