HYG018N10NS1B6 时间：2025/9/2 3:01:39 阅读：7

HYG018N10NS1B6是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和功率转换应用设计。该器件采用先进的U-MOS VIII技术制造，具备低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等多种应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　漏极电流(Id)：18A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：10mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.3V ~ 3.5V
　　功率耗散(Pd)：80W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）

特性

HYG018N10NS1B6具有极低的导通电阻，这使得它在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，提高系统效率。其100V的漏源耐压能力使其适用于多种中高功率应用场景。该MOSFET采用东芝的U-MOS VIII工艺，优化了开关性能和导通损耗之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出色。
　　此外，该器件的封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。其TO-252（DPak）封装形式支持表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和自动化生产。在热保护方面，HYG018N10NS1B6能够在高温环境下维持良好的工作稳定性，延长器件使用寿命。

应用

HYG018N10NS1B6广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括同步整流式DC-DC转换器、高效率开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）、电机驱动和负载开关电路等。在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电器（OBC）与DC-DC变换器中，该MOSFET也表现出良好的性能。此外，该器件适用于工业自动化控制、服务器电源、电信设备以及高功率LED照明驱动电路等高可靠性要求的场合。由于其优异的导通特性和热管理能力，HYG018N10NS1B6也非常适合用于需要高效率和高功率密度的现代电子设备中。