HYG014N03LS1C2 时间：2025/9/2 1:53:27 阅读：22

HYG014N03LS1C2是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能。HYG014N03LS1C2为N沟道MOSFET，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.4mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：26nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

HYG014N03LS1C2具有多项优异的电气和物理特性，适用于高功率密度和高效率的应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的14A最大漏极电流能力使其适用于高负载条件下的稳定工作。
　　其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，提供良好的热稳定性和较高的电流承载能力，同时减少开关损耗。栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关操作，适用于高频转换器设计。
　　此外，HYG014N03LS1C2的工作温度范围广泛（从-55°C到175°C），适合在极端环境条件下运行。封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热管理和可靠性，适用于表面贴装工艺，便于在PCB上安装和散热。
　　该器件还具备出色的短路耐受能力和雪崩能量额定值，确保在突发负载或瞬态条件下仍能稳定工作，提升系统的整体鲁棒性。

应用

HYG014N03LS1C2被广泛应用于多个电力电子领域，包括但不限于以下几种主要场景：DC-DC转换器，如升压（Boost）、降压（Buck）和反相转换器，用于工业设备、通信系统和服务器电源；负载开关电路，用于控制电源分配和负载管理；电机驱动和马达控制模块，适用于电动工具和自动化设备；电池管理系统（BMS），特别是在高电流充放电路径中；此外，它也适用于电源管理单元（PMU）中的高效率开关元件，以及需要高可靠性和高稳定性的工业自动化和控制系统。