HYG014N03LS1C2是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻和高效的开关性能。HYG014N03LS1C2为N沟道MOSFET,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电系统等应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):14A
导通电阻(RDS(on)):1.4mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):26nC(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
HYG014N03LS1C2具有多项优异的电气和物理特性,适用于高功率密度和高效率的应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高整体系统效率。该器件的14A最大漏极电流能力使其适用于高负载条件下的稳定工作。
其次,该MOSFET采用先进的沟槽式结构,提供良好的热稳定性和较高的电流承载能力,同时减少开关损耗。栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速开关操作,适用于高频转换器设计。
此外,HYG014N03LS1C2的工作温度范围广泛(从-55°C到175°C),适合在极端环境条件下运行。封装形式为TO-252(DPAK),具备良好的热管理和可靠性,适用于表面贴装工艺,便于在PCB上安装和散热。
该器件还具备出色的短路耐受能力和雪崩能量额定值,确保在突发负载或瞬态条件下仍能稳定工作,提升系统的整体鲁棒性。
HYG014N03LS1C2被广泛应用于多个电力电子领域,包括但不限于以下几种主要场景:DC-DC转换器,如升压(Boost)、降压(Buck)和反相转换器,用于工业设备、通信系统和服务器电源;负载开关电路,用于控制电源分配和负载管理;电机驱动和马达控制模块,适用于电动工具和自动化设备;电池管理系统(BMS),特别是在高电流充放电路径中;此外,它也适用于电源管理单元(PMU)中的高效率开关元件,以及需要高可靠性和高稳定性的工业自动化和控制系统。
Si4410BDY, IRF7413PBF, FDS4410A, NVTFS5C471NL, IPB014N03L G