时间：2025/7/1 13:03:51
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HYESD2045FN2是一款高性能的静电放电(ESD)保护二极管，专为高速信号线提供瞬态电压抑制和静电防护设计。它具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点，适用于各种消费电子、通信设备和工业应用中的接口保护。
该器件采用超小封装，能够满足现代电子产品对空间紧凑性和高效保护的需求。此外，HYESD2045FN2符合AEC-Q101标准，确保在严苛环境下的可靠性能。
工作电压：5V
击穿电压：6V
最大箝位电压：13.4V
动态电阻：0.4Ω
电容：0.4pF
响应时间：≤1ps
浪涌电流（8/20μs）：18A
封装形式：SOD-962 (DFN1006-2)
工作温度范围：-55℃至+150℃
HYESD2045FN2拥有非常低的电容值（0.4pF），使其非常适合高速数据线路的应用场景，例如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等。其皮秒级的响应时间可以迅速抑制瞬态过压，从而有效防止敏感元件受到损害。
同时，这款二极管具备出色的浪涌耐受能力（18A），能够在重复性浪涌事件中维持稳定性。此外，由于采用了微型DFN1006-2封装，HYESD2045FN2极大地节省了PCB空间，简化了布局设计。
HYESD2045FN2广泛应用于需要高速信号传输并同时要求严格ESD防护的场景，包括但不限于：
1. 消费类电子产品：智能手机、平板电脑、笔记本电脑。
2. 高速接口：USB 3.x、Thunderbolt、HDMI、MIPI、LVDS。
3. 通信设备：基站、路由器、交换机。
4. 工业自动化系统：传感器接口、控制模块。
5. 汽车电子：信息娱乐系统、导航设备、摄像头模组。
PESD2V0H4BSF, SM712, SP1015
