HYESD2045FN2是一款高性能的静电放电(ESD)保护二极管,专为高速信号线提供瞬态电压抑制和静电防护设计。它具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点,适用于各种消费电子、通信设备和工业应用中的接口保护。
该器件采用超小封装,能够满足现代电子产品对空间紧凑性和高效保护的需求。此外,HYESD2045FN2符合AEC-Q101标准,确保在严苛环境下的可靠性能。
工作电压:5V
击穿电压:6V
最大箝位电压:13.4V
动态电阻:0.4Ω
电容:0.4pF
响应时间:≤1ps
浪涌电流(8/20μs):18A
封装形式:SOD-962 (DFN1006-2)
工作温度范围:-55℃至+150℃
HYESD2045FN2拥有非常低的电容值(0.4pF),使其非常适合高速数据线路的应用场景,例如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等。其皮秒级的响应时间可以迅速抑制瞬态过压,从而有效防止敏感元件受到损害。
同时,这款二极管具备出色的浪涌耐受能力(18A),能够在重复性浪涌事件中维持稳定性。此外,由于采用了微型DFN1006-2封装,HYESD2045FN2极大地节省了PCB空间,简化了布局设计。
HYESD2045FN2广泛应用于需要高速信号传输并同时要求严格ESD防护的场景,包括但不限于:
1. 消费类电子产品:智能手机、平板电脑、笔记本电脑。
2. 高速接口:USB 3.x、Thunderbolt、HDMI、MIPI、LVDS。
3. 通信设备:基站、路由器、交换机。
4. 工业自动化系统:传感器接口、控制模块。
5. 汽车电子:信息娱乐系统、导航设备、摄像头模组。
PESD2V0H4BSF, SM712, SP1015