容量：256K x 16位
　　电压：3.3V
　　访问时间：7.5ns
　　封装：165引脚 FBGA
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步
　　组织结构：x16
　　读取电流：最大180mA（典型值）
　　待机电流：最大10mA
　　封装尺寸：8mm x 10mm

HYE18L256169BF75 是一款低功耗、高性能的异步SRAM芯片，具备7.5ns的快速访问时间，适用于高速缓存或实时系统中的临时数据存储。该芯片采用先进的CMOS技术制造，能够在保持低功耗的同时提供稳定的读写性能。其165引脚FBGA封装结构不仅节省空间，还提升了高频工作下的电气性能，适合高密度PCB布局。
　　这款SRAM芯片支持异步接口，不需要时钟信号同步，简化了系统设计。其工作电压为3.3V，符合低电压标准，同时保持与5V系统的兼容性。在工业温度范围（-40°C至+85°C）内可稳定工作，适用于各种严苛环境下的应用。此外，HYE18L256169BF75具备低待机电流的特性，在非活跃状态下可显著降低功耗，延长设备续航能力。

HYE18L256169BF75 SRAM芯片广泛应用于工业控制设备、通信基础设施、网络路由器、嵌入式系统、测试测量仪器以及图形处理模块等需要高速、可靠临时存储的场合。其适用于需要频繁读写、低延迟访问的场景，例如高速缓存、帧缓冲、数据缓冲区等。在嵌入式系统中，它可以作为主控芯片的外部存储器，提升系统响应速度和运行效率。

IS61LV25616-7T, CY7C1041GE3-7ZSXI, IDT71V416S07PFG, A2B25Q16B, HYE18L256160BF75