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HYB514265J-45 发布时间 时间:2025/9/2 0:53:59 查看 阅读:6

HYB514265J-45 是由 Infineon(英飞凌)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片属于EDO(扩展数据输出)类型,广泛应用于上世纪90年代至2000年初的计算机系统、工业控制设备以及嵌入式系统中作为主存储器使用。该型号的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具备较好的散热性能和稳定性。HYB514265J-45 提供了高速的数据访问能力,并且采用了CMOS制造工艺,以降低功耗和提升集成度。

参数

容量:4M x 16
  组织结构:4M x 16 = 64MB
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据传输速率:4.5ns
  访问时间:4.5ns
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大工作频率:约222MHz
  DRAM类型:EDO DRAM

特性

HYB514265J-45 是一款高性能的EDO DRAM芯片,其主要特性之一是具备4.5ns的访问时间,使其适用于对速度有一定要求的系统。该芯片的容量为64MB,组织结构为4M x 16位,允许每次访问16位数据,从而提高数据传输效率。该芯片采用3.3V电源供电,相比早期的5V供电DRAM芯片,具有更低的功耗和更少的热量产生,有助于提高系统的稳定性和可靠性。
  此外,HYB514265J-45 采用TSOP封装形式,具有较薄的外形,适合空间受限的应用场景。其54引脚的封装设计也便于PCB布局和焊接。该芯片支持标准的DRAM控制信号,如RAS(行地址选通)、CAS(列地址选通)、WE(写使能)等,兼容大多数主控器的DRAM接口。
  这款DRAM芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,属于工业级温度范围,能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、通信设备、测试仪器等应用。其最大工作频率约为222MHz,使其在当时的嵌入式系统和计算机系统中具有较好的性能表现。

应用

HYB514265J-45 主要用于需要大容量内存支持的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及老式计算机主板。由于其高性能和工业级温度范围,它也适用于要求高稳定性和可靠性的工业自动化设备和测试仪器。此外,该芯片还可用于视频采集与处理设备、网络设备以及数据存储设备中,作为临时存储数据的缓存。

替代型号

HYB514265J-45的替代型号包括HYB514265J-50和IS41LV16483B-50H。

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