时间：2025/9/1 17:13:55
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HYB18TC25616BF-2.5 是由SK Hynix（海力士）生产的一款18位、256K x 16位的高速异步静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造，适用于需要高速数据存取和高可靠性的系统应用，例如网络设备、工业控制设备、通信设备和嵌入式系统。其封装形式为54引脚TSOP（薄型小外形封装），适合在空间受限的电路板上使用。工作电压为2.3V至3.6V，属于宽电压范围器件，适应多种电源设计需求。
容量：256K x 16位
组织结构：18位地址线、16位数据线
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：2.5ns
封装类型：54引脚TSOP
工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
输入/输出电平：TTL兼容
最大工作频率：约200MHz（依据访问时间估算）
HYB18TC25616BF-2.5 具备优异的高速性能，其访问时间仅为2.5纳秒，使得该SRAM非常适合用于高速缓存或实时处理系统中。芯片内部采用低功耗设计，在保持高性能的同时有效控制功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。其TTL兼容的输入输出电平简化了与多种控制器和处理器的接口设计。该芯片支持异步操作，无需外部时钟信号，便于设计者灵活使用。此外，其采用CMOS技术制造，具备良好的抗干扰能力，提高了系统稳定性。工业级工作温度范围确保在恶劣环境下仍能正常运行，适用于工业控制、通信设备和车载电子等应用领域。
HYB18TC25616BF-2.5 还具备掉电数据保持功能，在低电压条件下可自动进入低功耗待机模式，适用于需要长时间保存数据的应用。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，同时提高高频下的信号完整性。该芯片的高可靠性和长使用寿命使其成为高端嵌入式系统的理想选择。
HYB18TC25616BF-2.5 SRAM芯片广泛应用于对性能和稳定性要求较高的电子系统中。例如，在工业控制领域，该芯片可用于存储关键的运行参数或缓存高速数据采集结果；在网络设备中，可作为高速缓存用于提升数据转发效率；在嵌入式系统中，常用于存储固件或作为高速缓冲区。此外，它也适用于通信设备、测试仪器、医疗设备以及车载控制系统等场景，为各种需要高速存取和高可靠性的系统提供稳定的数据存储支持。
CY7C1041DV33-250BZXC、IS61LV25616-2T、IDT71V416SA25B
