容量：512MB
　　组织结构：x8
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　数据速率：166MHz
　　时钟频率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C

HYB18T512800TEL-75 是一款高性能的DRAM芯片，采用CMOS工艺制造，具备低功耗、高稳定性和高速数据存取能力。其同步设计允许与系统时钟同步操作，从而提高数据传输效率。该芯片的x8组织结构意味着每个地址位置可存储8位数据，适用于需要大量数据处理的应用场景。此外，该芯片的TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适合高密度内存模块的设计。
　　其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性，能够在不同电压环境下稳定运行。该芯片支持166MHz的时钟频率，能够实现高速数据传输，适用于高性能计算系统。同时，其访问时间为5.4ns，表明其响应速度快，能够满足实时数据处理的需求。
　　在环境适应性方面，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业环境中使用，确保在各种气候条件下都能保持稳定性能。

HYB18T512800TEL-75 广泛应用于各类需要高性能内存的电子设备中，包括个人计算机、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信设备等。由于其高速度和大容量的特性，特别适用于需要大量数据缓存和快速访问的场景，如图像处理、视频编辑、数据库管理以及实时控制系统等。此外，该芯片也可用于老旧系统的内存升级，提升设备的整体性能。

HYB39S512800BF-7B、HYB39S512800BFB-7B、MT48LC16M16A2B4-6A、K4S641632C-TC75