时间：2025/8/12 13:34:55
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HYB18H51321BF-12 是一款由三星（Samsung）生产的16MB的DRAM芯片，专为高性能和低功耗应用而设计。该芯片采用CMOS技术，适用于多种嵌入式系统和存储设备。
容量：16MB
组织方式：1M x 16
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：12ns
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
引脚数：54
HYB18H51321BF-12 具有出色的性能和稳定性，支持高速数据访问，访问时间仅为12ns，适合要求快速响应的应用场景。
这款DRAM芯片的低功耗特性使其在电池供电设备中表现出色，同时在高电压范围内（2.3V至3.6V）运行，确保了良好的兼容性和稳定性。
采用TSOP封装，HYB18H51321BF-12 在空间受限的设计中提供了紧凑的布局选择，并且具备良好的散热性能。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合工业环境下的严苛条件。
HYB18H51321BF-12 被广泛应用于嵌入式系统、便携式电子设备、通信设备和工业控制系统等需要可靠存储解决方案的场合。
其高速存取能力和低功耗设计使其成为需要高效能与节能兼顾的应用场景的理想选择，如数据采集设备、网络设备、医疗仪器和智能卡终端等。
IS61LV1024-12B4I
