时间：2025/9/2 4:33:37
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HY90C54-GB189 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于异步DRAM类别，设计用于提供高速数据存储和访问功能，广泛应用于早期的计算机系统、嵌入式设备以及工业控制设备中。该型号的具体封装形式和引脚配置可根据制造商的数据手册进一步确认。
容量：1M x 4位
电压：5V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
时钟频率：最高可达100MHz（根据具体时序配置）
访问时间：约5.4ns
数据保持时间：最小2ms
刷新周期：64ms
HY90C54-GB189 是一款高性能的异步DRAM芯片，具备低功耗和高可靠性的特点，适合用于需要较大存储容量但不需要同步时钟控制的系统。其1M x 4位的组织结构使其在数据存储应用中具有良好的灵活性。芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于减少系统功耗并提高数据保持能力。此外，该器件采用TSOP封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适用于空间受限的设计环境。该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准，确保其在各种环境条件下稳定运行。
该芯片还具备兼容性强的特点，能够与多种主控器或存储控制器配合使用，广泛应用于早期的图形处理、嵌入式系统和工业自动化设备中。
HY90C54-GB189 主要应用于需要中等容量存储的嵌入式系统、工业控制设备、视频采集和处理系统、网络设备以及老式个人计算机的扩展内存模块。此外，该芯片也可用于需要图形缓存的显示设备和一些通信设备中，提供可靠的数据存储和快速访问能力。
HY90C54-GB189 可以使用以下替代型号：ISSI的IS42S16400J-6T、Micron的MT48LC16M4A2B4-6A、以及Winbond的W98C6416BZ-6。这些替代型号在容量、封装和性能上与HY90C54-GB189相似，但具体使用前需参考数据手册以确保兼容性。
