HY71VS16160CT-5是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,具体属于同步突发SRAM类别。该芯片设计用于高性能系统,如网络设备、通信设备和嵌入式应用,能够提供快速的数据访问和可靠的数据存储。其容量为256K x 16位,工作频率可达166MHz,适用于需要高速数据处理的应用场景。该芯片的封装类型为TSOP(薄型小外形封装),便于集成到现代电子设备中。
容量:256K x 16位
工作电压:3.3V
访问时间:5.4ns
最大工作频率:166MHz
封装类型:TSOP
引脚数:54
数据宽度:16位
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行接口
突发模式支持:支持
HY71VS16160CT-5具备多项显著特性,使其在高速存储应用中表现出色。首先,其同步突发模式支持使得在连续访问内存时,只需要一个地址输入即可完成多个数据的快速读写,大大提高了数据传输效率。此外,该芯片的高速访问时间(5.4ns)和高达166MHz的工作频率使其能够满足高性能系统的严格要求,适用于需要低延迟和高带宽的应用场景。
其次,HY71VS16160CT-5采用3.3V供电,确保了低功耗操作,同时兼容多种现代控制器的电压标准,降低了系统设计的复杂性。芯片的TSOP封装不仅减小了PCB的占用空间,还提高了散热性能,有助于在高密度电路板上的应用。
HY71VS16160CT-5广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的系统中。其主要应用场景包括网络设备(如路由器和交换机)、通信基础设施(如基站和传输设备)、工业控制系统(如PLC和自动化设备)以及高性能嵌入式系统(如图像处理设备和数据采集系统)。在这些应用中,该芯片的高速性能和可靠性能够有效支持数据缓存、指令存储和实时数据处理等功能,确保系统的高效运行。
CY7C1380C-5AAXI、IS61LV25616-10T、IDT71V416S10PFGI、ISSI IS64WV25616EDBLL-6A