时间：2025/9/2 6:05:11
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HY64SD16162B-DF85EDR 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高速度的存储器件，适用于需要大量数据缓存和快速存取的场景。该型号属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）系列，具有16M x16的存储结构，适用于工业控制、通信设备、消费电子等广泛领域。
存储类型：DRAM
内存组织：16M x 16位
时钟频率：166MHz
数据速率：333MHz（DDR）
电源电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行
数据宽度：16位
存储容量：256MB
刷新周期：64ms
访问时间：5.4ns
最大工作电流：200mA
HY64SD16162B-DF85EDR 是一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），采用双数据速率（DDR）技术，可在每个时钟周期传输两次数据，从而显著提高数据传输效率。该芯片具有256MB的存储容量，适用于需要大容量缓存和高速数据处理的应用场景。其TSOP封装设计使其在PCB布局中占用空间较小，适合便携式设备和紧凑型系统使用。芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够有效延长数据保存时间，减少外部控制器的负担。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具备较强的电压适应能力，适用于多种电源环境。此外，该芯片具备低功耗模式，有助于在待机或轻负载状态下降低能耗，提高系统能效。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行，广泛适用于工业控制、通信设备、汽车电子等领域。HY64SD16162B-DF85EDR还支持突发模式操作，可以提高数据连续读写的速度，提升整体系统性能。
该芯片广泛应用于需要高速缓存和大容量存储的电子设备中。例如，在工业控制系统中，它可以作为主存储器或缓冲存储器，用于临时存储程序和数据。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，HY64SD16162B-DF85EDR可用于缓存高速传输的数据流，确保通信的稳定性和高效性。此外，该芯片也可用于嵌入式系统、数字电视、机顶盒、视频监控设备等消费类电子产品中，提供快速的数据存取能力。在汽车电子领域，如车载导航系统、车载娱乐系统和高级驾驶辅助系统（ADAS），该芯片可在高温环境下可靠运行，满足车载应用对稳定性和耐用性的高要求。
IS42S16160B-85D, K4S641632C-TC75, MT48LC16M2A2B4-6A
