容量：8 Mbit（1M x 8）
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　数据保持电压：1.5V（最小）
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　最大工作频率：143MHz（访问时间70ns对应）

HY62WT081EDG70C 具有高速访问时间和低功耗设计，能够在宽电压范围内稳定运行（2.3V至3.6V），适用于多种电源环境。其异步SRAM架构允许直接与微处理器和控制器接口，无需额外的时钟管理电路，提高了系统的灵活性和兼容性。该芯片还具备优异的数据保持能力，在低至1.5V的电压下仍能维持数据完整性，适用于电池供电或备用电源系统。
　　此外，该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，降低了静态电流，有助于减少系统功耗，同时提高了抗噪能力和稳定性。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间，适用于高密度电子设备设计。工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），可在严苛环境下可靠运行。

HY62WT081EDG70C 主要应用于需要高速存储和低功耗的嵌入式系统，如工业控制器、通信模块、网络设备、测试仪器以及手持式电子设备。由于其异步接口和宽电压适应能力，该芯片也常用于需要与多种微处理器或FPGA配合使用的场景，例如数据缓存、临时存储和固件运行存储。在电源管理系统或备用存储系统中，该芯片的数据保持能力也使其适用于低功耗待机模式下的数据存储需求。

CY62167EAPLL-70E、IS61WV10248BLL-70B、A62W1024KLL-70RU、ISSI IS62C25128ALBLL-70BN