容量：8Mbit (1M x 8)
　　组织方式：x8
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装类型：52引脚 TSOP
　　封装尺寸：54mm x 44mm x 1.2mm
　　功耗：典型电流10mA（待机模式下电流低至10μA）

HY62WT08081E-DT85E SRAM芯片具有多项高性能和高可靠性的特点。
　　首先，它采用先进的CMOS工艺制造，使其在低功耗运行的同时保持高速访问能力，适用于对功耗敏感的便携式设备和对速度有严格要求的嵌入式系统。
　　其次，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了其在不同供电环境下的兼容性，可以适应多种主板设计和应用需求。
　　此外，HY62WT08081E-DT85E具有55ns的访问时间，确保了数据的快速读写，适用于实时数据处理和高速缓存应用。
　　该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在高温和低温环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备等对环境适应性要求较高的应用场景。
　　最后，52引脚TSOP封装不仅提供了良好的散热性能，还减少了芯片的PCB占用空间，适合高密度电路设计。这种封装方式也具有良好的电气性能和机械稳定性，能够满足复杂电路布局的需求。

HY62WT08081E-DT85E广泛应用于多个领域，包括但不限于嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信设备、图像处理模块、消费类电子产品和汽车电子系统等。
　　在嵌入式系统中，该SRAM芯片常用于存储临时数据和高速缓存，以提高系统的运行效率。
　　在网络设备和通信模块中，HY62WT08081E-DT85E用于高速数据缓冲，确保数据传输的实时性和稳定性。
　　在工业控制领域，其宽温度范围和高可靠性使其适用于PLC控制器、传感器模块等关键部件。
　　此外，该芯片也常用于手持设备和智能终端，如PDA、便携式测量仪器等，满足这些设备对高速存储和低功耗的需求。

CY62167VLL-S70BZS, IDT71V416S12PHG, IS61LV25616-10T, HY62W8100AE-SB55