容量：8Mbit (1M x 8)
　　组织方式：x8
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz
　　封装类型：54-TSOP
　　温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　引脚数量：54
　　数据宽度：8位
　　读取电流（最大）：180mA
　　待机电流（最大）：10mA

HY62W08081EDG55C SRAM芯片具备多项优良特性，适用于高性能存储系统。其高速访问时间（5.4ns）支持高达166MHz的工作频率，确保了快速的数据读写能力，适用于对速度要求较高的系统设计。该芯片采用低功耗CMOS工艺，在高速运行的同时仍能保持较低的功耗水平，尤其在待机模式下电流消耗极低，适用于需要节能设计的应用场景。
　　此外，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了对不同电源条件的适应性，提高了系统设计的灵活性。芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于恶劣环境下的工业设备、通信设备和网络设备。
　　HY62W08081EDG55C采用54引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于空间受限的高密度电路板设计。该芯片还具备优异的抗干扰能力和稳定性，能够确保数据在复杂电磁环境中的可靠存取。

HY62W08081EDG55C广泛应用于需要高速、低功耗和可靠存储的电子系统中。常见应用包括网络设备、工业控制设备、通信模块、路由器、交换机、测试仪器以及嵌入式系统。该芯片的高性能和稳定性也使其适用于汽车电子系统和工业自动化设备中的缓存或高速数据存储单元。

CY7C1041GN3A-10ZSXI, IDT71V416S12PHGI, IS61WV1008EBLL-10BLLI