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HY62V8400ALLT2-70I 发布时间 时间:2025/9/1 19:13:37 查看 阅读:8

HY62V8400ALLT2-70I 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为8Mbit(1M x8),采用高速CMOS技术制造,适用于需要快速读写和稳定存储的应用场景。该芯片采用低功耗设计,适合在工业级温度范围内稳定工作。

参数

容量:8Mbit(1M x 8)
  电源电压:3.3V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54-Pin
  接口类型:并行
  最大工作频率:约143MHz(基于访问时间计算)
  读写操作模式:异步

特性

HY62V8400ALLT2-70I 具有高速访问时间,达到70ns,适用于对性能要求较高的嵌入式系统和数据缓存应用。
  采用低功耗CMOS技术,在保持高速运行的同时有效降低功耗,适用于对功耗敏感的设备设计。
  该芯片支持异步读写操作,具有灵活的控制引脚,如片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于与多种主控系统进行接口。
  其TSOP封装形式减小了PCB占用空间,并提升了高频工作下的稳定性。
  工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于工业控制、通信设备和车载系统等复杂环境。

应用

HY62V8400ALLT2-70I 主要用于需要高速存储和低功耗特性的嵌入式系统中,如工业控制设备、通信模块、路由器和交换机等网络设备。
  此外,该芯片也适用于便携式电子产品、数据采集系统以及需要高速缓存的微控制器系统中。
  由于其稳定的工作性能和广泛的温度适应能力,也常用于汽车电子系统、测试仪器和智能家电等应用领域。

替代型号

ISSI IS62LV256AL-70TLI
  Cypress CY62148EALI-70ZE3
  Renesas IDT71V416SA70PFG
  Microchip 23LC1024-I/PT

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