时间：2025/9/1 14:28:48
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HY62V8200LLST-85I 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为8Mbit（1M x 8），采用高速异步设计，适用于需要快速数据存取的应用场景。该器件采用低漏电设计，具备高性能与低功耗的特点，适用于工业级温度范围，适合多种嵌入式系统和高性能电子设备。
容量：8Mbit (1M x 8)
组织方式：x8
电压范围：3.3V
访问时间：8.5ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
输入/输出类型：异步CMOS
封装尺寸：54-pin
最大时钟频率：无（异步SRAM）
HY62V8200LLST-85I 采用高速CMOS技术，具备快速访问时间（最大8.5ns），能够在高性能系统中实现快速数据读写。该SRAM芯片支持异步操作，不需要时钟信号，简化了控制逻辑，适用于需要灵活读写周期的系统设计。此外，该芯片具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。该器件支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。其TSOP封装设计不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适用于紧凑型嵌入式系统和高密度PCB设计场景。
该芯片广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、嵌入式系统以及需要高速存储的便携式电子产品中。其异步接口设计使其特别适合用于需要高速缓存或临时数据存储的微控制器系统。
CY62168EVLL-85B4I-SX, IS62WV10248ALLB-85B4LI, IDT71V416S85BQI, ABOV Semiconductor KM681000HG-85B
