HY62V8100BLLTI-70 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高性能和高可靠性的特点,广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信模块中。该型号为1Mbit(128K x 8)容量,支持异步操作,适用于多种接口设计。
容量:1Mbit(128K x 8)
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:70ns
封装:48-TSOP
温度范围:-40°C ~ +85°C
封装尺寸:18.4mm x 12.0mm
引脚数:48
接口类型:异步
读写操作:支持异步读写
封装材料:塑料封装
输入/输出类型:三态输出
最大工作频率:约14MHz
待机电流:10mA(典型)
HY62V8100BLLTI-70 是一款高性能异步SRAM,其主要特性包括高速访问时间(70ns)和宽电压工作范围(2.3V至3.6V),支持多种电源供应配置,适用于便携式设备和嵌入式系统中。该芯片在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)稳定运行,增强了其在恶劣环境中的可靠性。其48-TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提供良好的热稳定性。
此外,该SRAM具备三态输出功能,可在不使用时将输出置于高阻态,避免总线冲突。其待机电流较低(典型值10mA),有助于延长电池供电设备的使用寿命。HY62V8100BLLTI-70 支持全地址/数据异步访问模式,兼容多种微处理器和控制器接口标准,简化了系统集成过程。
HY62V8100BLLTI-70 主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场景,如嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备的运行内存、网络设备的包缓冲区、通信模块的数据中转站以及测试测量仪器的临时数据存储单元。此外,该芯片也可用于汽车电子、消费类电子产品和便携式医疗设备中,以满足对性能和功耗的双重需求。
CY62V1001LL-70ZE3, IDT71V128L10PF-70B, IS61LV1024-70B