时间：2025/9/2 0:57:33
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HY62V8100BLLTI-70 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高性能和高可靠性的特点，广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信模块中。该型号为1Mbit（128K x 8）容量，支持异步操作，适用于多种接口设计。
容量：1Mbit（128K x 8）
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：70ns
封装：48-TSOP
温度范围：-40°C ~ +85°C
封装尺寸：18.4mm x 12.0mm
引脚数：48
接口类型：异步
读写操作：支持异步读写
封装材料：塑料封装
输入/输出类型：三态输出
最大工作频率：约14MHz
待机电流：10mA（典型）
HY62V8100BLLTI-70 是一款高性能异步SRAM，其主要特性包括高速访问时间（70ns）和宽电压工作范围（2.3V至3.6V），支持多种电源供应配置，适用于便携式设备和嵌入式系统中。该芯片在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）稳定运行，增强了其在恶劣环境中的可靠性。其48-TSOP封装形式有助于节省PCB空间，并提供良好的热稳定性。
此外，该SRAM具备三态输出功能，可在不使用时将输出置于高阻态，避免总线冲突。其待机电流较低（典型值10mA），有助于延长电池供电设备的使用寿命。HY62V8100BLLTI-70 支持全地址/数据异步访问模式，兼容多种微处理器和控制器接口标准，简化了系统集成过程。
HY62V8100BLLTI-70 主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场景，如嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备的运行内存、网络设备的包缓冲区、通信模块的数据中转站以及测试测量仪器的临时数据存储单元。此外，该芯片也可用于汽车电子、消费类电子产品和便携式医疗设备中，以满足对性能和功耗的双重需求。
CY62V1001LL-70ZE3, IDT71V128L10PF-70B, IS61LV1024-70B
