容量：1Mbit（128K x 8）
　　组织结构：128K x 8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间（tRC）：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：LLP（无引脚封装）
　　封装引脚数：56
　　接口类型：异步
　　读取电流（典型值）：120mA
　　待机电流（ISB）：10mA（最大）
　　时序类型：异步控制
　　数据保持电压：2.0V 最小
　　封装尺寸：8mm x 14mm（近似）

HY62UF8100LLST-10IDR 具备多项优异特性，适用于高性能嵌入式系统和工业应用。该芯片采用高速CMOS技术，访问时间低至10ns，可满足对数据存取速度要求较高的场景。其支持的电源电压范围为2.3V至3.6V，具备良好的电源适应性，适用于多种供电环境。该SRAM芯片的LLP封装形式不仅节省空间，还提高了封装的机械强度和热稳定性，适合在高振动或高可靠性要求的工业环境中使用。
　　此外，HY62UF8100LLST-10IDR 在待机模式下的功耗非常低，最大待机电流仅为10mA，有助于降低系统整体功耗，延长设备续航时间。在数据保持模式下，仅需2.0V的最低电压即可保持数据完整性，适用于电池供电或断电保护场景。其异步接口设计简化了与微处理器、微控制器或FPGA的连接，减少了外围电路的复杂度。

HY62UF8100LLST-10IDR 广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的嵌入式系统和工业电子设备中。例如，该芯片可作为高性能微控制器、DSP（数字信号处理器）或FPGA（现场可编程门阵列）的外部数据缓存，用于高速数据缓冲和临时数据存储。在通信领域，该SRAM芯片可用于路由器、交换机和无线基站等设备中的数据包缓存和快速转发机制。
　　在工业自动化系统中，HY62UF8100LLST-10IDR 可作为PLC（可编程逻辑控制器）或工业计算机的高速缓存，支持实时数据采集与处理。此外，该芯片还适用于测试测量设备、智能电表、安防监控设备和医疗诊断仪器等对数据处理速度和稳定性有较高要求的应用场景。
　　由于其低功耗特性和宽温工作范围，HY62UF8100LLST-10IDR 也适用于户外设备、车载电子系统和便携式设备中的关键存储模块。其LLP封装形式便于实现高密度PCB布局，满足小型化和轻量化设计需求。

IS62WV10248ALLBLL-10BN3I、CY7C1011CV33-10ZSXI、AS7C31025C-10BIN、IDT71V416S10PFGI、ISSI IS62WV10248ALLBLL-10BN3I