容量：8Mbit（1024K x 8）
　　组织结构：x8
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：8.5ns
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：54引脚
　　功耗：典型值约150mA（工作模式）
　　最大读取电流：约300mA
　　最大写入电流：约300mA
　　输入/输出电平：CMOS兼容

HY62U8200LLSI-85IR具有多项优良的性能特性，首先是高速访问能力，其访问时间仅为8.5ns，使得该SRAM适用于高速缓存、数据缓冲器、网络交换设备和嵌入式控制器等需要快速响应的应用。其次，该芯片采用低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时，有效降低了系统功耗，适用于便携式设备和对功耗敏感的系统设计。
　　此外，该SRAM具有宽温度范围支持，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适合工业控制、汽车电子和通信基础设施等严苛环境中的应用。芯片支持异步操作，无需外部时钟同步，简化了系统设计并提高了灵活性。
　　HY62U8200LLSI-85IR的TSOP封装形式不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，有助于提升整体系统的稳定性和可靠性。同时，其CMOS输入/输出兼容性使得它能够与多种主控芯片或逻辑电路无缝连接，便于集成到复杂系统中。

HY62U8200LLSI-85IR适用于多种高性能存储应用，包括但不限于：嵌入式系统的高速缓存存储器、通信设备中的数据缓冲器、工业控制系统的临时数据存储、车载电子设备的数据处理模块、网络交换设备的快速访问存储器以及消费类电子产品中的高性能存储需求。由于其低功耗和宽温特性，也广泛用于便携式仪器、自动化控制系统和智能仪表等领域。

CY62U8200LLSI-85IR, IDT71V8200S, ISSI IS62LV8200LLSI-85IR