时间：2025/9/2 7:12:11
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HY62U8200BLLST-85IDR 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该器件设计用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用LLP（Leadless Leadframe Package）封装，适用于各种工业和通信设备。
类型：异步SRAM
容量：8Mbit（1M x 8）
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：85ns
封装类型：LLP-54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取电流（最大）：180mA
待机电流（最大）：10mA
HY62U8200BLLST-85IDR 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，具备快速访问时间和广泛的电压兼容性。其主要特点之一是支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种电源设计环境。该芯片的访问时间为85ns，能够满足高速数据存取的需求，适用于嵌入式系统、网络设备和工业控制设备等应用。
此外，该SRAM芯片采用LLP（无引线封装）封装形式，具有较小的封装体积和良好的热性能，有助于在高密度PCB布局中节省空间。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适合在恶劣环境中使用。
在功耗方面，HY62U8200BLLST-85IDR 的典型待机电流非常低，最大仅为10mA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。而在读取操作时，其最大电流为180mA，确保了快速稳定的数据读取性能。该芯片还具备高可靠性和耐用性，广泛用于数据缓冲、临时存储和高速缓存等场景。
HY62U8200BLLST-85IDR SRAM芯片广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、嵌入式系统、测试设备以及消费类电子产品中。其高速存取能力和低功耗特性使其成为需要频繁读写操作和高稳定性的应用场景的理想选择。例如，在工业自动化系统中，该芯片可用于缓存实时数据；在网络设备中，它可用于高速数据包缓存；在便携式电子设备中，其低功耗特性有助于延长电池续航时间。
ISSI IS61LV10248ALLB-85I、Microchip 23K640-I/LL、ON Semiconductor MCM201808LLSRAM
