时间：2025/7/23 19:25:01
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HY62KT08081E-DT70C 是由 Hynix（现代半导体）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有较大的存储容量和快速的访问速度，适用于对性能要求较高的嵌入式系统和工业控制设备。该SRAM芯片采用标准的TSOP封装，工作温度范围广泛，适用于工业级应用环境。
容量：8Mbit（512K x 16）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：70ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持电压：1.5V
封装引脚数：54
最大工作频率：143MHz
输入/输出类型：共用地址/数据总线
待机电流：10mA（典型值）
HY62KT08081E-DT70C 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取的应用场景。其异步接口设计使得该芯片可以与多种微处理器和控制器无缝连接，广泛用于嵌入式系统、通信设备、工业自动化和测试仪器等场合。该芯片的宽工作电压范围提高了其在不同电源环境下的适应能力，同时支持数据保持模式以降低功耗。TSOP封装形式不仅节省空间，还提升了高频下的电气性能和散热能力，适合在复杂电磁环境中稳定工作。此外，该芯片的高可靠性和工业级温度范围确保其在严苛环境下仍能正常运行。
HY62KT08081E-DT70C 通常用于需要高速数据缓存和临时存储的系统中，如工业控制设备、网络路由器、通信模块、测试测量仪器、嵌入式系统和智能卡终端等。由于其低功耗和高速特性，该芯片也适合用于便携式设备和需要长时间运行的工业设备中。
CY62167EAPLL-70SC，IS62WV51216BLL-70BLI，IDT71V416S12PHG，AS7C34098A-70BCTR，ISSI IS64LV10248ALLB-70BLI
