类型：SRAM
　　容量：256K x 16位（即512KB）
　　电压范围：2.3V ~ 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据宽度：16位
　　封装尺寸：54-TSOP
　　最大工作频率：约166MHz
　　功耗（典型值）：根据使用状态不同而变化，典型待机电流低于10mA

HY628400BLLG-55I 是一款高性能的低功耗SRAM芯片，其显著特性包括高速访问能力和宽泛的工作电压范围。该芯片的访问时间为5.4ns，这意味着它可以支持高达166MHz的工作频率，从而在需要快速数据读写的应用中提供出色的性能。芯片的电压范围为2.3V至3.6V，这使得它能够兼容多种电源设计，适用于不同的系统环境。
　　此外，HY628400BLLG-55I 支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能保持稳定运行。这种宽温特性使其非常适合在工业控制、自动化设备和通信系统中使用。
　　该SRAM芯片采用54引脚TSOP封装，这种封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适用于空间受限但对性能和稳定性有要求的应用场景。此外，HY628400BLLG-55I 在待机模式下的功耗非常低，典型待机电流小于10mA，适合需要节能设计的嵌入式设备。

HY628400BLLG-55I 主要应用于需要高速缓存或临时数据存储的场合。它常见于工业控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、自动化设备和数据采集系统。在通信设备中，该芯片可用于缓存数据、提高处理速度和增强系统响应能力。此外，HY628400BLLG-55I 也适用于嵌入式系统、智能仪表、医疗设备和测试测量仪器等对性能和稳定性要求较高的应用领域。

IS61LV25616-10T, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416S10PFG, A628400BLLG-55I