容量：512K x 8位
　　组织结构：512KB x 8
　　电压：3.3V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口
　　读取电流：最大180mA（典型值）
　　待机电流：最大10mA（典型值）

HY628400ALT2-70是一款高性能SRAM芯片，具有高速访问能力和低功耗特性。其70ns的访问时间确保了在高速数据传输中的稳定性，适用于对时间要求严格的系统。该芯片采用CMOS技术制造，能够在低电压下工作，同时保持较高的数据存储稳定性。此外，HY628400ALT2-70的待机电流非常低，使其在低功耗应用中表现出色。
　　该SRAM芯片的组织结构为512K x 8位，支持8位并行数据传输。其TSOP封装形式有助于减小电路板空间占用，并提高集成度。HY628400ALT2-70的工作温度范围符合工业级标准，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。此外，该芯片还具备较高的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中提供可靠的数据存储和读写功能。
　　在设计方面，HY628400ALT2-70提供了多种控制信号，包括芯片使能（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），允许用户灵活地进行读写操作。这种设计使得该芯片可以轻松集成到各种微处理器和控制器系统中。

HY628400ALT2-70广泛应用于需要高速存储和数据缓存的场合。常见的应用包括计算机系统的高速缓存、网络设备的数据缓冲、工业控制系统的实时数据存储以及嵌入式系统的临时存储需求。此外，该芯片还适用于需要快速数据处理的通信设备和测试仪器。

CY62148E-70ZS, IS61LV5128AL-70B4I