容量：256K x 16位
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：约143MHz（根据访问时间计算）
　　数据输入/输出方式：异步
　　功耗：典型值约100mA（待机模式下低至10mA）

HY628400ALLT2-70I 采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问能力和低功耗特性，非常适合需要高速缓存和临时数据存储的应用。其异步数据输入/输出方式使得芯片可以灵活地与多种主控设备连接，而无需严格的时序控制。此外，该芯片支持高速读写操作，访问时间仅为70ns，确保了系统运行的高效性。
　　该SRAM芯片还具备良好的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适合在各种严苛环境中使用。其TSOP封装形式不仅减小了芯片体积，还提高了机械稳定性和散热性能，适用于高密度PCB设计。
　　HY628400ALLT2-70I 支持低功耗待机模式，在不进行数据访问时可显著降低功耗，延长设备续航时间。此外，其高抗干扰能力和可靠的存储单元结构确保了数据的完整性和稳定性。

HY628400ALLT2-70I 通常用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、数据采集系统以及测试与测量设备。由于其高速存取能力和宽工作温度范围，该芯片也适用于对可靠性要求较高的工业自动化和汽车电子系统。
　　在网络设备中，HY628400ALLT2-70I 可用于存储临时数据包或高速缓存表项，以提高数据处理效率。在嵌入式系统中，它可以用作外部RAM，扩展主控芯片的内存容量，提升系统性能。此外，在需要快速读写操作的工业控制系统中，该SRAM芯片也可用于存储关键数据或程序代码。

IS61LV25616-70BLLI、CY7C1041CV33-70BZI、IDT71V416S70BHCI、AS6C25616C-70SLN-B