HY628100BLLTI-70 时间：2025/9/2 1:39:58 阅读：9

HY628100BLLTI-70 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该芯片具有高速访问时间，适用于需要快速数据存取的应用场景。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），非常适合嵌入式系统和便携式设备使用。

参数

容量：1 Mbit（128K x 8）
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读写模式：异步
　　最大工作频率：约14MHz（基于访问时间计算）

特性

HY628100BLLTI-70 是一款高性能的异步SRAM芯片，具有1 Mbit的存储容量，适合于需要高速数据存取的应用。其低电压操作范围（2.3V至3.6V）使其适用于多种电源环境，同时有助于降低功耗。该芯片的访问时间为70ns，确保了快速的数据响应能力，适用于工业控制、网络设备、通信模块和嵌入式系统等应用场景。其TSOP封装设计不仅减小了PCB空间占用，还提高了封装的可靠性，适合高密度电路设计。此外，该器件可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适应严苛的工作环境。
　　这款SRAM芯片没有内置的同步时钟，因此数据读写操作由地址和控制信号异步触发，适合与各种微控制器和嵌入式处理器配合使用。其高可靠性和稳定性使其成为工业自动化、智能仪表、医疗设备和车载电子系统中的理想选择。

应用

HY628100BLLTI-70 主要用于需要高速、低功耗、宽工作温度范围的存储器应用场合。典型应用包括：工业控制设备、嵌入式系统、网络通信设备、测量仪器、智能卡终端、便携式电子设备等。由于其异步接口和高速特性，该芯片可作为微控制器的外部数据存储器或高速缓存使用，适用于需要频繁读写操作的场景。此外，该器件的TSOP封装形式也有助于在空间受限的PCB设计中实现紧凑布局。