HY628100BLLTI-55 时间：2025/9/1 22:56:37 阅读：17

HY628100BLLTI-55 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。这款芯片采用低功耗CMOS工艺制造，适用于需要高速数据访问和低功耗特性的应用场合。HY628100BLLTI-55 具有128K x 8位的存储容量，采用TSOP封装，适用于便携式设备、通信设备、工业控制系统以及其他需要高速缓存的应用。

参数

容量：128K x 8位
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　电源电压：3.3V
　　接口类型：并行
　　数据宽度：8位
　　封装引脚数：54
　　最大工作频率：约18MHz（基于访问时间计算）

特性

HY628100BLLTI-55 是一款专为低功耗和高速操作设计的异步SRAM芯片。其访问时间为55纳秒，这意味着它可以在较高频率下运行，适用于对响应时间敏感的应用。该芯片采用CMOS技术，不仅降低了功耗，还提高了抗噪能力和热稳定性。
　　该芯片的128K x 8位组织方式使其具备1MB的总存储容量，适合需要大量高速存储的应用。其TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提高了高频操作下的电气性能。此外，HY628100BLLTI-55 支持宽温度范围操作（-40°C 至 +85°C），使其适用于工业级环境。
　　电源电压为3.3V，相比传统的5V SRAM，功耗更低，并且更符合现代低电压系统设计趋势。此外，该芯片的并行接口设计允许直接与多种微控制器和处理器连接，简化了系统设计并提高了数据传输效率。

应用

HY628100BLLTI-55 广泛应用于需要高速缓存和低功耗设计的嵌入式系统中。例如，在通信设备中，该芯片可用于缓存数据包和临时存储协议信息；在工业控制系统中，它可以作为快速存储器用于实时数据处理和缓存控制参数；在便携式设备（如手持终端、智能仪表）中，该芯片的低功耗特性有助于延长电池寿命。
　　此外，HY628100BLLTI-55 还适用于图形显示控制器、打印机缓冲器、网络交换设备和测试测量仪器等场合。由于其高速访问时间和宽温度范围特性，它也被用于汽车电子系统、安防监控设备和自动化生产线等严苛环境中的嵌入式应用。