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HY628100BLLTI-55 发布时间 时间:2025/9/1 22:56:37 查看 阅读:4

HY628100BLLTI-55 是由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于异步SRAM类别。这款芯片采用低功耗CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗特性的应用场合。HY628100BLLTI-55 具有128K x 8位的存储容量,采用TSOP封装,适用于便携式设备、通信设备、工业控制系统以及其他需要高速缓存的应用。

参数

容量:128K x 8位
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  电源电压:3.3V
  接口类型:并行
  数据宽度:8位
  封装引脚数:54
  最大工作频率:约18MHz(基于访问时间计算)

特性

HY628100BLLTI-55 是一款专为低功耗和高速操作设计的异步SRAM芯片。其访问时间为55纳秒,这意味着它可以在较高频率下运行,适用于对响应时间敏感的应用。该芯片采用CMOS技术,不仅降低了功耗,还提高了抗噪能力和热稳定性。
  该芯片的128K x 8位组织方式使其具备1MB的总存储容量,适合需要大量高速存储的应用。其TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间,还提高了高频操作下的电气性能。此外,HY628100BLLTI-55 支持宽温度范围操作(-40°C 至 +85°C),使其适用于工业级环境。
  电源电压为3.3V,相比传统的5V SRAM,功耗更低,并且更符合现代低电压系统设计趋势。此外,该芯片的并行接口设计允许直接与多种微控制器和处理器连接,简化了系统设计并提高了数据传输效率。

应用

HY628100BLLTI-55 广泛应用于需要高速缓存和低功耗设计的嵌入式系统中。例如,在通信设备中,该芯片可用于缓存数据包和临时存储协议信息;在工业控制系统中,它可以作为快速存储器用于实时数据处理和缓存控制参数;在便携式设备(如手持终端、智能仪表)中,该芯片的低功耗特性有助于延长电池寿命。
  此外,HY628100BLLTI-55 还适用于图形显示控制器、打印机缓冲器、网络交换设备和测试测量仪器等场合。由于其高速访问时间和宽温度范围特性,它也被用于汽车电子系统、安防监控设备和自动化生产线等严苛环境中的嵌入式应用。

替代型号

CY62148BLL-55DC, IDT71V016S, ISSI IS61LV1024-55BLLI

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