时间：2025/8/28 17:48:13
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HY628100BLLT1-E 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速低功耗SRAM系列。该器件广泛用于需要高性能和低功耗的系统，如嵌入式控制器、网络设备、工业控制系统以及通信设备等。HY628100BLLT1-E 的容量为1 Mbit（128K x 8），采用CMOS工艺制造，支持异步读写操作，具备宽电压工作范围和多种省电模式。
容量：1 Mbit (128K x 8)
组织结构：x8
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：55ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
最大工作频率：约18MHz（基于访问时间）
读写操作：异步
省电模式：支持待机模式
HY628100BLLT1-E 是一款高性能异步SRAM芯片，具备低功耗和高速访问能力。其访问时间仅为55ns，适用于对响应时间要求较高的嵌入式系统。该芯片采用CMOS技术，能够有效降低功耗，延长设备的电池寿命。其工作电压范围为2.3V至3.6V，允许其在多种电源条件下稳定运行，适用于广泛的工业和通信应用。此外，该芯片支持待机模式，在低功耗状态下可显著降低电流消耗，非常适合需要节能设计的设备。
HY628100BLLT1-E 采用54引脚TSOP封装，节省空间并适用于高密度PCB布局。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种恶劣环境条件下都能稳定工作，适用于工业自动化、网络设备、车载电子系统等应用场景。其异步接口设计简化了系统设计，提高了系统的可靠性和兼容性。
HY628100BLLT1-E 主要用于需要高速数据缓存和低功耗设计的嵌入式系统中。其典型应用包括网络路由器和交换机的数据缓冲、工业控制系统的临时数据存储、便携式电子设备的主存或缓存、通信设备中的协议处理缓存、测试仪器的高速数据采集系统等。由于其宽电压和宽温度范围特性，该芯片也常用于恶劣工业环境下的控制系统和车载电子设备。
CY62148BLL-55ZS, IS61LV25616-55BLL, IDT71V416S
