容量：128K x 8 位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：85ns
　　工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　最大工作频率：约117MHz
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据保持电压：最低2V
　　封装尺寸：约8mm x 14mm

HY628100BLLT1-85 是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的访问时间为85ns，意味着其能够在高频环境下稳定工作，适用于需要快速数据读取和写入的应用场景。其工作电压为3.3V，具备良好的功耗控制能力，在保持高速运行的同时，也适合低功耗系统设计。
　　该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高可靠性和稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在各种恶劣环境下运行。其TTL兼容输入/输出接口，使其能够与多种微处理器和控制器无缝连接，无需额外的电平转换电路。
　　此外，该芯片具备数据保持功能，即使在电源电压下降至2V的情况下，仍可保持存储的数据不丢失，非常适合电池供电设备或需要掉电保护的应用场景。TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了封装密度，适合用于便携式电子产品、嵌入式系统、工业控制设备以及网络通信设备等。

HY628100BLLT1-85 适用于多种需要高速存储和低功耗设计的电子系统。例如，在嵌入式控制系统中，它可以作为高速缓存或临时数据存储器，用于提升系统响应速度和数据处理效率。在工业自动化设备中，该SRAM可用于实时数据采集和存储，支持高速控制和数据交换。
　　此外，该芯片也广泛应用于通信设备，如路由器、交换机和无线基站中，用于临时存储配置信息和运行数据。由于其数据保持能力，HY628100BLLT1-85 也非常适合用于电池供电设备，如手持终端、便携式测量仪器和智能穿戴设备，确保在断电或低电量情况下仍能保留关键数据。
　　在消费类电子产品中，该SRAM芯片也可用于图像处理模块、音频存储缓冲区以及高速接口桥接电路，为系统提供稳定、可靠的数据存储解决方案。

CY62148BLL-85SNXC, IS62WV5128BLL-85B, IDT71V416SA85B