HY628100BLLT1-55 时间：2025/9/2 7:06:02 阅读：13

HY628100BLLT1-55是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为128K x 8位（即1Mbit），适用于需要高速数据存取的应用场景。该芯片采用异步工作方式，无需时钟信号控制，具有低功耗、高性能和高可靠性的特点。

参数

类型：SRAM（静态随机存取存储器）
　　容量：128K x 8位（1Mbit）
　　电源电压：3.3V或5V兼容
　　访问时间：55ns（最大）
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数量：54引脚
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：最小2V
　　封装尺寸：约8mm x 14mm
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大工作电流：约120mA（典型值）
　　待机电流：小于10mA
　　封装材料：塑料

特性

HY628100BLLT1-55是一款高性能SRAM芯片，具有快速的数据访问能力，其最大访问时间为55ns，适合用于需要高速缓存和临时数据存储的系统中。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的应用场景。
　　该芯片支持3.3V和5V两种电源电压，具有良好的兼容性，可以适应不同系统的设计需求。其输入输出信号与TTL电平兼容，便于与各种控制器和逻辑器件连接。HY628100BLLT1-55采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和较高的封装密度，适用于空间受限的嵌入式系统设计。
　　此外，该SRAM芯片具有良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适合用于工业控制、通信设备、消费电子产品以及汽车电子等多种应用场景。其高可靠性和稳定性使其成为许多高性能系统中的理想选择。

应用

HY628100BLLT1-55 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的系统中，例如嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信模块、图像处理设备、测试测量仪器以及手持式电子设备等。由于其低功耗和高可靠性，它也常用于需要长时间运行和稳定存储性能的工业级设备中。
　　在嵌入式系统中，HY628100BLLT1-55可用于作为处理器的高速缓存或外部数据存储器，以提升系统的运行效率。在通信设备中，它可以用于临时存储数据包或协议处理过程中的信息。此外，该芯片也适用于需要频繁读写和快速响应的控制系统，例如机器人控制、智能传感器和自动化生产线等应用场景。