时间：2025/9/1 13:09:30
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HY628100BLLG 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM芯片采用高性能的CMOS技术制造，具有低功耗、高速存取能力以及高可靠性的特点，广泛用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备中。
容量：1 Mbit（128K x 8）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：55 ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数量：54
接口类型：并行接口
读取电流（最大）：180 mA
待机电流（最大）：10 mA
HY628100BLLG 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备低功耗和高速存取的双重优势。其工作电压范围为2.3V至3.6V，使其适用于多种电源环境，同时具备宽温度范围（-40°C至+85°C），适合工业级应用。
该芯片的访问时间仅为55ns，意味着它可以在高频系统中提供快速的数据响应，适用于需要高速缓存或临时数据存储的应用场景。其TSOP封装设计不仅节省空间，还提升了散热性能，增强了芯片在复杂环境中的稳定性。
在操作模式方面，HY628100BLLG 支持异步读写操作，具有地址线、数据线和控制线的标准并行接口配置，便于与多种主控芯片连接。芯片还具备低待机电流特性，在非活跃状态下可显著降低功耗，适合用于电池供电或低功耗要求的设备。
此外，HY628100BLLG 具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在恶劣的电磁环境中保持正常运行，因此被广泛应用于工业自动化、通信设备、医疗仪器以及消费类电子产品中。
HY628100BLLG 适用于多种需要快速数据存储和访问的场景，包括但不限于工业控制系统、数据采集设备、网络通信模块、嵌入式处理器系统、医疗监测仪器、消费类电子产品（如打印机、扫描仪）等。
IS61LV1024-55BLLI、CY62148EALLI、IDT71V416SA55B
