类型：SRAM
　　容量：1 Mbit（128 K x 8）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55 ns
　　封装类型：TSOP
　　I/O 类型：异步
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数：54
　　数据宽度：8 位
　　读取电流：最大 160 mA
　　待机电流：最大 10 mA

HY628100BLLG-55I SRAM 芯片具有多个关键特性，使其适用于各种高性能应用。首先，该芯片的高速访问时间为 55 ns，能够满足对数据访问速度有较高要求的应用场景。其异步 I/O 类型允许它与多种控制器和处理器兼容，提高了系统的灵活性和适用性。
　　此外，该芯片采用低功耗 CMOS 技术，在保证高速性能的同时，降低了整体功耗，适用于对能耗敏感的设备。其工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，使其能够适应多种电源供应条件，并提高了在不同环境下的稳定性。
　　该芯片的 TSOP 封装设计不仅减小了体积，还提升了抗干扰能力和热稳定性，适合在工业级环境中使用。-40°C 至 +85°C 的宽工作温度范围确保了其在极端环境下的可靠运行，使其适用于工业控制、通信基础设施和嵌入式系统等场景。
　　HY628100BLLG-55I 的高可靠性、高速度和低功耗特性，使其成为需要高速缓存、数据缓冲和临时存储的理想选择。此外，其标准的 8 位数据宽度和 54 引脚接口设计，使得它可以方便地集成到多种系统架构中。

HY628100BLLG-55I 主要用于需要高速数据存取的场合，如嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、打印机和扫描仪等。它也常用于需要高速缓存或临时数据存储的微控制器系统中，例如工业自动化设备、智能仪表、通信网关和视频处理设备。此外，该芯片还可用于各种需要可靠存储解决方案的消费类电子产品和汽车电子系统。

IS61LV10248ALLB55I, CY62148E, AS6C1008, IDT71V128SA, 和 ISSI IS62WV10248BLL。