HY628100ALLP-55 时间：2025/9/2 2:54:54 阅读：23

HY628100ALLP-55 是由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，其容量为128K x 8位（即1Mbit）。该芯片属于高速SRAM类别，广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。HY628100ALLP-55 采用 CMOS 技术制造，具备低功耗与高速性能的双重优势，适用于对性能和功耗都有一定要求的设计场景。

参数

容量：128K x 8 位
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：52mm x 18mm（典型）
　　数据保持电压：1.5V
　　待机电流：最大 10mA（典型值）
　　读取电流：最大 160mA（典型值，55ns 时）
　　封装类型：II 型 TSOP
　　封装材料：塑料
　　引脚排列：全地址/数据并行接口
　　接口类型：异步SRAM

特性

HY628100ALLP-55 芯片具备多项优异特性，首先是其高速访问能力，55ns 的访问时间使其适用于需要快速响应的实时系统。该芯片的工作电压范围较宽（2.3V 至 3.6V），能够适应多种电源供应环境，提升了其在不同应用场合的兼容性。此外，该SRAM芯片在待机模式下的电流消耗极低，典型值仅为10mA，有助于延长便携式设备的电池续航时间。
　　采用 CMOS 工艺制造的 HY628100ALLP-55 在数据保持模式下仅需 1.5V 的最低电压，即使在系统主电源关闭的情况下，仍可通过备用电源保持数据不丢失，非常适合用于需要长期保存临时数据的应用场景。
　　该芯片的封装形式为 54 引脚 II 型 TSOP，尺寸紧凑且易于安装，适合高密度 PCB 布局。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级环境要求，适合在较为恶劣的工业或户外环境中使用。
　　此外，HY628100ALLP-55 支持全地址/数据并行接口，提供高效的数据读写能力，适用于需要频繁读写操作的系统，如数据缓存、高速缓冲存储器等应用。

应用

HY628100ALLP-55 SRAM 芯片广泛应用于多个高性能嵌入式系统领域。其主要应用场景包括但不限于工业自动化控制系统、通信设备（如路由器、交换机）、测试与测量仪器、消费类电子产品（如打印机、扫描仪）以及汽车电子模块等。
　　在工业自动化设备中，HY628100ALLP-55 可作为中央处理器（CPU）或微控制器（MCU）的高速缓存，用于存储实时运行数据或程序指令，确保系统快速响应外部输入和执行任务。
　　在通信设备中，该芯片可作为数据缓冲区，用于临时存储传输过程中的数据包，提高数据交换效率和系统响应速度。
　　在测试与测量仪器中，HY628100ALLP-55 通常用于高速数据采集和处理，确保测量数据的准确性和实时性。
　　此外，该芯片也适用于汽车电子系统，如车载导航、行车记录仪等，为这些设备提供稳定可靠的数据存储支持。