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HY628100ALLP-55 发布时间 时间:2025/9/2 2:54:54 查看 阅读:7

HY628100ALLP-55 是由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,其容量为128K x 8位(即1Mbit)。该芯片属于高速SRAM类别,广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。HY628100ALLP-55 采用 CMOS 技术制造,具备低功耗与高速性能的双重优势,适用于对性能和功耗都有一定要求的设计场景。

参数

容量:128K x 8 位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:52mm x 18mm(典型)
  数据保持电压:1.5V
  待机电流:最大 10mA(典型值)
  读取电流:最大 160mA(典型值,55ns 时)
  封装类型:II 型 TSOP
  封装材料:塑料
  引脚排列:全地址/数据并行接口
  接口类型:异步SRAM

特性

HY628100ALLP-55 芯片具备多项优异特性,首先是其高速访问能力,55ns 的访问时间使其适用于需要快速响应的实时系统。该芯片的工作电压范围较宽(2.3V 至 3.6V),能够适应多种电源供应环境,提升了其在不同应用场合的兼容性。此外,该SRAM芯片在待机模式下的电流消耗极低,典型值仅为10mA,有助于延长便携式设备的电池续航时间。
  采用 CMOS 工艺制造的 HY628100ALLP-55 在数据保持模式下仅需 1.5V 的最低电压,即使在系统主电源关闭的情况下,仍可通过备用电源保持数据不丢失,非常适合用于需要长期保存临时数据的应用场景。
  该芯片的封装形式为 54 引脚 II 型 TSOP,尺寸紧凑且易于安装,适合高密度 PCB 布局。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,满足工业级环境要求,适合在较为恶劣的工业或户外环境中使用。
  此外,HY628100ALLP-55 支持全地址/数据并行接口,提供高效的数据读写能力,适用于需要频繁读写操作的系统,如数据缓存、高速缓冲存储器等应用。

应用

HY628100ALLP-55 SRAM 芯片广泛应用于多个高性能嵌入式系统领域。其主要应用场景包括但不限于工业自动化控制系统、通信设备(如路由器、交换机)、测试与测量仪器、消费类电子产品(如打印机、扫描仪)以及汽车电子模块等。
  在工业自动化设备中,HY628100ALLP-55 可作为中央处理器(CPU)或微控制器(MCU)的高速缓存,用于存储实时运行数据或程序指令,确保系统快速响应外部输入和执行任务。
  在通信设备中,该芯片可作为数据缓冲区,用于临时存储传输过程中的数据包,提高数据交换效率和系统响应速度。
  在测试与测量仪器中,HY628100ALLP-55 通常用于高速数据采集和处理,确保测量数据的准确性和实时性。
  此外,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载导航、行车记录仪等,为这些设备提供稳定可靠的数据存储支持。

替代型号

CY62148BLL-55ZXI, IDT71V416SA55B, AS7C31026A-55BC, IS61LV10248ALLB55

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