容量：128K x 8位（1Mbit）
　　访问时间：55ns
　　电源电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据宽度：8位
　　最大工作频率：约18MHz
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　封装尺寸：标准TSOP

HY628100A-55LL 具有多个显著的技术特点。首先，其高速访问时间为55ns，使得该芯片能够支持高达18MHz的工作频率，适用于对实时性要求较高的系统应用。
　　其次，该SRAM采用CMOS工艺，具备较低的功耗特性，即使在高频工作状态下也能保持良好的能效比。此外，其5V的电源供电设计确保了与多种逻辑电平的兼容性，同时具备较强的抗干扰能力。
　　这款芯片还支持异步操作模式，允许数据在不依赖系统时钟的情况下进行快速读写操作，提高了系统的灵活性和响应速度。封装方面，采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于集成在高密度电路板上。
　　另外，HY628100A-55LL 的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级环境下的稳定运行需求，适用于各种严苛条件下的电子设备。

HY628100A-55LL 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的嵌入式系统中。例如，在工业控制设备中，该SRAM可作为处理器的高速缓冲存储器，用于暂存关键数据或执行代码。在通信设备中，该芯片可用于数据缓冲和协议处理，提升系统的响应速度和数据吞吐量。
　　此外，该芯片也广泛应用于测试仪器、医疗设备、智能仪表和消费类电子产品中，作为主控芯片的辅助存储器，用于存储运行时的临时变量和状态信息。
　　由于其高速性和低功耗特性，HY628100A-55LL 还适用于需要快速响应和高可靠性的汽车电子系统，如车载导航系统、车载信息娱乐系统（IVI）以及车载控制系统等。
　　总的来说，HY628100A-55LL 是一款适用于多种应用场景的高性能SRAM芯片，能够满足工业、通信、医疗和汽车电子等多个领域对高速、低功耗存储解决方案的需求。

ISSI IS61LV10248ALLB45B、Cypress CY62148ELL、Alliance AS6C1008-55LLN