容量：64Kbit（8KB）
　　组织方式：8K x 8
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：28-DIP / 28-SOIC
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 70°C）或工业级（-40°C 至 85°C）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大工作电流：约100mA（典型值）

HY6264-10 是一款高性能的SRAM芯片，具有多项显著特性。其最突出的特点是10ns的访问时间，这使得它能够在高速系统中提供快速的数据读写能力，满足对实时性要求较高的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，因此在保持高速度的同时也具有较低的功耗，尤其是在待机模式下，电流消耗极低，适合需要节能设计的系统。
　　芯片的电源电压为标准5V，与许多早期微处理器和外围设备兼容，简化了系统设计。此外，其TTL电平输入/输出接口使得它可以方便地与各种数字电路连接，无需额外的电平转换电路。
　　HY6264-10 提供了两种工作温度版本，即商业级（0°C至70°C）和工业级（-40°C至85°C），适用于不同环境条件下的应用。封装形式包括28引脚DIP和SOIC，适合不同的PCB布局需求。由于其可靠性高、兼容性强，HY6264-10 被广泛用于嵌入式控制器、数据缓存、显示缓冲器、工业自动化设备以及老式个人计算机的扩展内存模块。

HY6264-10 SRAM芯片由于其高速存取和低功耗特性，被广泛应用于多种嵌入式和工业控制场景。常见的应用包括作为微控制器系统中的高速缓存或数据存储器，用于图形显示系统中的帧缓冲存储器，以及在通信设备中作为临时数据缓冲区。此外，它也常用于需要快速响应的实时系统，如工业自动化控制、测试测量设备、医疗仪器和老式计算机系统中。其TTL兼容接口和5V电源设计使其能够轻松集成到多种硬件平台中。

AS6C6264-10LLB, CY6264BLL-55ZXI, IDT7164SA10Y, MB8464A-10