时间：2025/9/2 1:44:56
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HY62256BLLJ-70是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256Kbit（32K x 8）。该芯片采用高速CMOS技术制造，适用于需要高速存储器访问的系统，如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。其封装形式为28引脚DIP（双列直插式封装），适合在广泛的工业温度范围内运行。
类型：SRAM
容量：256Kbit (32K x 8)
电源电压：5V
访问时间：70ns
封装类型：28-DIP
工作温度范围：-40°C至+85°C
引脚数量：28
数据总线宽度：8位
时序类型：异步
最大工作频率：14.3MHz（对应70ns存取时间）
功耗：典型工作电流约100mA
封装尺寸：约15.24mm x 30.48mm
HY62256BLLJ-70是一款高性能SRAM芯片，采用高速CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的稳定性。其70ns的访问时间使其适用于需要快速响应的系统，如工业控制、通信设备和嵌入式应用。该芯片的工作电压为5V，保证了与多种控制器和外围设备的兼容性。其异步操作方式使其在没有时钟信号的情况下仍能高效运行。
此外，该芯片采用28引脚DIP封装，适合插装在标准的PCB板上，并且支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行。HY62256BLLJ-70具备高可靠性和长寿命，非常适合用于需要长时间连续运行的系统中。
HY62256BLLJ-70 SRAM芯片广泛应用于各种需要高速存储器的场合。常见的应用包括工业控制设备、通信设备、测试仪器、嵌入式系统和老式计算机系统。由于其异步接口设计，它特别适合用于与微控制器或微处理器直接连接，作为高速缓存或数据存储使用。此外，由于其宽工作温度范围，该芯片也常用于需要在极端环境条件下稳定运行的工业和通信设备。
CY62257BLL-70, AS6C62256-70PCN, IDT71256SA70B, IS61C256AHLL-70NLI
