类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：64K x 4位（256Kbit）
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：32引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：最小2V
　　最大工作电流：约100mA（典型值）
　　封装尺寸：约18.4mm x 12.4mm

HY62256BLLJ-10是一款高性能SRAM芯片，采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的稳定性。该芯片的访问时间仅为10ns，能够满足高速数据处理的需求。其电源电压为标准5V，适用于多种电子设备的设计和应用。该芯片支持异步操作模式，具备独立的地址输入和数据输入/输出控制，便于与多种微处理器和控制器连接。此外，该芯片具备数据保持功能，在低电压（最低2V）下仍可保持存储数据，适合用于低功耗待机或电池供电场景。
　　在封装方面，HY62256BLLJ-10采用32引脚TSOP封装，体积小巧，便于PCB布局并提高系统集成度。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件，确保在各种严苛环境下稳定运行。

HY62256BLLJ-10 SRAM芯片广泛应用于多种电子系统中，包括工业控制系统、数据采集设备、通信模块、嵌入式系统、网络设备以及消费类电子产品。例如，在工业自动化设备中，该芯片可用于缓存传感器数据或运行参数；在通信设备中，可用于高速缓存或临时数据缓冲；在嵌入式系统中，可作为主存或高速缓存扩展。此外，由于其低功耗和数据保持特性，该芯片也适用于需要断电后保留数据的场景，如智能仪表、便携式设备和备用存储模块。

CY62257BLL-10SNXC, IDT71256SA12PHGI, AS6C62256-10SIN, IS62C256ALBLL-10N