容量：256K位（32K x 8）
　　电压供应：5V
　　访问时间：55ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：28引脚TSOP
　　接口类型：并行接口
　　数据保持电压：最小2V
　　封装尺寸：约5.4mm x 18.4mm

HY62256ALLJ-55是一款高性能的CMOS静态存储器，具有出色的读写速度和稳定性。其55ns的访问时间使其适用于高速缓存、数据缓冲等对响应时间敏感的应用场景。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合对能耗敏感的系统使用。此外，其宽温度范围（-40°C 至 +85°C）确保了在各种工业环境下的稳定运行。
　　该SRAM芯片还具备良好的抗干扰能力和高可靠性，能够适应较为恶劣的电气环境。其TSOP封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中进行布局。HY62256ALLJ-55的并行接口支持标准的地址/数据总线连接方式，简化了与微处理器或控制器的接口设计。
　　此外，HY62256ALLJ-55支持异步读写操作，能够在不同的系统时钟频率下稳定运行，增强了其在不同应用环境中的兼容性。这种灵活性使其成为许多工业设备、测试仪器、通信模块以及嵌入式控制系统中的理想存储器选择。

HY62256ALLJ-55主要应用于需要高速存储器的嵌入式系统、工业自动化设备、测试测量仪器、通信设备、网络路由器、打印机和传真机等电子设备中。由于其高速访问能力和低功耗特性，也常用于需要频繁读写和缓存操作的场合，如图形显示缓存、数据采集系统和嵌入式控制系统的临时数据存储。

ISSI IS62C256AL-55TLI、Alliance A62256L-55P、Microchip 23K256-I/P