容量：256K位（32K x 8）
　　组织结构：32K x 8
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：28
　　最大工作频率：100MHz（对应10ns访问时间）
　　数据保持电压：2V（最小）
　　待机电流：最大10mA（典型值）
　　读取电流：最大160mA（典型值）

HY62256ALLJ-10TE1 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，专为高速数据存取需求而设计。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗运行和高稳定性。其主要特性之一是高速访问能力，访问时间仅为10ns，这使得它非常适合用于需要快速响应的嵌入式系统和缓存应用。
　　此外，该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合高密度PCB设计。
　　HY62256ALLJ-10TE1 支持标准的异步SRAM接口，易于与多种微处理器和控制器集成。其电源电压为5V，与大多数逻辑电路兼容，简化了系统设计。在待机模式下，该芯片的电流消耗极低，最大仅为10mA，有助于延长电池供电设备的续航时间。

HY62256ALLJ-10TE1 SRAM芯片广泛应用于各种需要高速数据存储和访问的场景。它常被用于嵌入式系统的缓存存储器，如微控制器系统、工业控制设备、通信模块和网络路由器。此外，它也适用于需要高可靠性和低功耗的便携式电子产品，如手持终端、智能卡读写器和测试测量设备。由于其工业级温度范围和良好的稳定性，该芯片也适合在恶劣环境条件下运行的设备中使用。

CY62148EVLL-10ZS, AS6C62256-10TIN, IS62C256ALBLL-10