类型：SRAM
　　容量：32K x 8位（256KB）
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：70ns
　　封装类型：32引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：3V
　　待机电流：最大10mA
　　工作电流：最大150mA

HY62256ALJ70 是一款高性能CMOS静态RAM，具备出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括高速访问时间和低功耗设计。该芯片在70ns的访问时间内能够提供快速的数据读取能力，适用于对速度要求较高的系统应用。此外，其低待机电流和工作电流特性使其在节能设计中表现出色，特别适合电池供电或低功耗系统。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具备较高的抗干扰能力和稳定性，能够在较宽的温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作，适合工业和通信设备等严苛环境下的应用。其TSOP封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能和电气特性，适用于高密度PCB布局。
　　HY62256ALJ70 的地址线为A0至A14，数据线为I/O0至I/O7，并配有片选信号（CS）、写使能信号（WE）和输出使能信号（OE），支持灵活的读写控制。其内部结构设计优化，避免了传统DRAM所需的刷新电路，提高了系统的稳定性和设计的简便性。

HY62256ALJ70 广泛应用于需要高速、低功耗、高稳定性的存储解决方案中。典型应用包括工业控制系统、通信设备、嵌入式系统、数据采集设备以及需要缓存或临时数据存储的场合。由于其高速访问特性，该芯片也常用于图像处理、网络设备和测试仪器中作为高速缓存使用。

IS62C256ALB-70NLI、CY62256NLL-70ZS、MCM62256NCB-70、HM62256BLFP-70