类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：256Kbit（32K x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：32引脚TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　读取电流：最大100mA（典型值）
　　待机电流：最大10mA
　　数据保持电流：最大3mA
　　输入/输出电平：TTL兼容

HY62256ALJ-70I 具备高速存取能力，访问时间仅为70纳秒，适用于对响应速度要求较高的系统应用。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，能够在待机模式下显著降低功耗，适用于电池供电或对能效有要求的设备。
　　这款SRAM芯片的并行异步接口设计使其能够与多种处理器和控制器无缝连接，简化了硬件设计并提高了系统兼容性。其TSOP封装形式不仅减小了PCB空间占用，还具备良好的散热性能，适合高密度电路布局。
　　HY62256ALJ-70I 支持TTL电平输入，兼容广泛的标准逻辑电平，方便与各种外围设备集成。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，可在严苛环境中稳定运行，适用于工业自动化、仪器仪表、网络设备等多种场景。
　　该芯片还支持数据保持模式，在低功耗状态下可维持存储内容不变，适用于需要数据持久保存但无需频繁访问的应用场景。

HY62256ALJ-70I 主要应用于工业控制设备、网络通信设备、嵌入式系统、测试与测量仪器、消费类电子产品等需要高速、低功耗存储解决方案的场合。由于其工业级温度范围和稳定性能，特别适合用于环境较为恶劣或对可靠性要求较高的系统中。

CY62256BLL-70PSC、IS62C256ALB-70TL、MCM62256NCB-70